由于智能電子技術(shù)的不斷發(fā)展，使用傳統(tǒng)晶體管的摩爾定律已達(dá)到極限，用戶迫切需要新一代的半導(dǎo)體技術(shù)來進(jìn)一步減小半導(dǎo)體器件的尺寸。元。
　　FinFET是一種新型的器件結(jié)構(gòu)，電纜已成為技術(shù)發(fā)展方向。文從專利的角度分析了全球和國(guó)家的發(fā)展趨勢(shì)以及SOI FinFET器件的重要申請(qǐng)人，并分析了它們的技術(shù)熱點(diǎn)。析表明，中國(guó)的SOI FinFET技術(shù)與國(guó)外先進(jìn)水平之間仍存在很大差距，但近年來，對(duì)該領(lǐng)域的研究與開發(fā)越來越重視，投資也有所增加。年又一年，他們正在逐步追趕。著摩爾定律的減少和芯片集成度的提高，當(dāng)半導(dǎo)體技術(shù)達(dá)到22nm時(shí)，導(dǎo)致傳統(tǒng)MOSFET陷入瓶頸的許多負(fù)面影響尤其是短通道效應(yīng)已大大增加。設(shè)備關(guān)閉狀態(tài)下，大電流會(huì)導(dǎo)致電流大幅增加。中，新型器件結(jié)構(gòu)FinFET受到越來越多的關(guān)注。FinFET架構(gòu)中，柵極為3D鰭狀結(jié)構(gòu)，可以控制電路兩側(cè)的電路激活和去激活，圖1顯示了平面晶體管和晶體管的一般結(jié)構(gòu)。三扇門的FinFET模塊[1]。
　　據(jù)襯底結(jié)構(gòu)的特性，電纜FinFET器件可分為FinFET絕緣體上硅（SOI）器件和FinFET硅塊體襯底器件。于SOI器件具有掩埋在襯底中的氧層，因此更容易在SOI襯底上實(shí)現(xiàn)FinFET，并且在源極和漏極之間以及器件之間形成自然的電絕緣。
　　以有效消除泄漏并避免鎖定效應(yīng)。而，二氧化硅的熱導(dǎo)率低，這將產(chǎn)生自熱效應(yīng)。此，遷移率，閾值電壓，漏極電流和低于器件閾值的斜率都受溫度影響。此，在現(xiàn)階段和將來的CMOS器件的研究和應(yīng)用中，SOI FinFET器件已經(jīng)成為技術(shù)發(fā)展的熱點(diǎn)，并面臨許多挑戰(zhàn)。據(jù)專利檢索的結(jié)果，可以獲得SOI FinFET專利申請(qǐng)的總體趨勢(shì)，該趨勢(shì)可以分為三個(gè)步驟。年，第一個(gè)SOI FinFET專利申請(qǐng)已經(jīng)出現(xiàn)。是加利福尼亞大學(xué)的一項(xiàng)專利申請(qǐng)（USB1公開號(hào)）。SOI FinFET雙柵極結(jié)構(gòu)的柵極形成在溝道的兩側(cè)，有效地抑制了短溝道。果并提高了設(shè)備??的驅(qū)動(dòng)能力。這里，每年SOI FinFET的應(yīng)用數(shù)量穩(wěn)定在50個(gè)左右，這仍處于研究和探索階段，并且?guī)缀鯖]有大規(guī)模的工業(yè)應(yīng)用。于智能電子技術(shù)的飛速發(fā)展，F(xiàn)inFET作為可以實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步集成的設(shè)備可以在工業(yè)中得到廣泛使用。此，在現(xiàn)階段，SOI FinFET專利申請(qǐng)的數(shù)量已大大增加。2010年的40例到2012年的110例，過去兩年的增長(zhǎng)率幾乎翻了三倍，并繼續(xù)呈上升趨勢(shì)。據(jù)SOI FinFET專利的主要申請(qǐng)人的分析，眾所周知，IBM在美國(guó)具有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，其次是臺(tái)積電。為SOI FinFET技術(shù)的支持者，IBM與AMD建立了長(zhǎng)期的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，在這一領(lǐng)域具有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。IBM與Intel的FinFET技術(shù)之間的最大區(qū)別在于，英特爾繼續(xù)采用傳統(tǒng)的塊狀硅方法，而IBM的FinFET架構(gòu)則基于FD-SOI技術(shù)。

　　全耗盡，不僅保留了平面技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，還具有結(jié)構(gòu)絕緣，無摻雜，低能耗和低電壓運(yùn)行的特點(diǎn)。IBM的專利申請(qǐng)之后，TSMC是該領(lǐng)域的主要申請(qǐng)人。FinFET技術(shù)最初是由加利福尼亞大學(xué)伯克利分校的胡正明教授提出的，并且在2001年至2004年期間擔(dān)任臺(tái)積電的技術(shù)總監(jiān)。
　　年來，臺(tái)積電在制造方面也顯示出強(qiáng)勁的勢(shì)頭。SOI FinFET工業(yè)應(yīng)用。圖顯示了SOI中國(guó)FinFET專利申請(qǐng)數(shù)量與全球?qū)＠暾?qǐng)數(shù)量之間的比率，其發(fā)展呈上升趨勢(shì)（該專利近年來未公開，數(shù)據(jù)落后了）。

　　
　　是，中國(guó)的第一個(gè)SOI FinFET專利申請(qǐng)于2002年出現(xiàn)，比國(guó)外晚了兩年。國(guó)自己開發(fā)的SOI FinFET專利申請(qǐng)甚至更晚。2004年，北京大學(xué)首次提交了自己開發(fā)的內(nèi)部SOI FinFET內(nèi)部專利申請(qǐng)（CNA公開號(hào)），該技術(shù)使用沉積的氮化硅來保護(hù)鰭片區(qū)域，然后將其氧化。成鰭區(qū)的幾乎SOI結(jié)構(gòu)。

　　以看出，中國(guó)在FinFET SOI領(lǐng)域起步較晚，但近年來中國(guó)應(yīng)用在全球應(yīng)用中所占的比例逐漸增加。表明中國(guó)近年來在這一領(lǐng)域的研發(fā)越來越受到重視。時(shí)，通過分析中國(guó)專利申請(qǐng)領(lǐng)域，我們可以看到芬菲特在中國(guó)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的R SOI機(jī)構(gòu)高度集中在上海和北京。管在蘇州，無錫，杭州，武漢，成都和西安，半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造相對(duì)發(fā)達(dá)，但SOI FinFET領(lǐng)域的研發(fā)能力尚待開發(fā)。SOI FinFET技術(shù)已經(jīng)開發(fā)了很多年，并且其工藝已經(jīng)減少，因此IBM和Intel之間在14 nm工藝中的競(jìng)爭(zhēng)變得更加激烈。導(dǎo)體集成電路技術(shù)一直在追求高密度，低成本，高速和低功耗，這也突出了對(duì)SOI FinFET技術(shù)的新要求[2]。
　　]。前，主要的先進(jìn)技術(shù)有：1）提高操作員的機(jī)動(dòng)性，實(shí)現(xiàn)更高的信道控制能力。2）采用側(cè)壁顯影技術(shù)，確保線寬一致性。3）簡(jiǎn)化流程并降低成本。4）高密度性能優(yōu)化，例如使用堆疊結(jié)構(gòu)，改進(jìn)工藝和新的微結(jié)構(gòu)。上所述，中國(guó)的SOI FinFET技術(shù)與國(guó)外先進(jìn)水平相比仍存在很大差距，但近年來，中國(guó)越來越重視這一領(lǐng)域的研究與開發(fā)及其投資。年增加。國(guó)可以充分利用自身優(yōu)勢(shì)，在SOI FinFET器件上尋找研究熱點(diǎn)，以克服曲線問題。
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